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锻件超声波探伤

来源: 作者:ndt 人气: 发布时间:2024-04-30
摘要:1.1.1筒形锻件----轴向长度L大于其外径尺寸D的轴对称空心锻件.t为公称厚度. 1.1.2 环形锻件----轴向长度L小于等于其外径尺寸D的轴对称空心件.t为公称厚度. 1.1.3 饼形锻件----轴向长度L小于等于其外径D的轴对称形锻件.t为公称厚度. 1.1.4 碗形锻件----用作容
1.1.1筒形锻件----轴向长度L大于其外径尺寸D的轴对称空心锻件.t为公称厚度.
 
1.1.2 环形锻件----轴向长度L小于等于其外径尺寸D的轴对称空心件.t为公称厚度.
 
1.1.3 饼形锻件----轴向长度L小于等于其外径D的轴对称形锻件.t为公称厚度.
 
1.1.4 碗形锻件----用作容器封头,沧州欧谱中心部份凹进去的轴对称形锻件.t为公称厚度.
 
1.1.5 方形锻件----相交面互相垂直的六面体锻件.
 
三维尺寸a、b、c中最上称厚度.
 
1.2 底波降低量GB/BF(dB)
 
无缺陷区的第一次底波高度(GB)和有缺陷区的第一次底波高度(BF)之比.由缺陷引起的底面反射的降低量用dB值表示.
 
1.3 密集区缺陷
 
当荧光屏扫描线上相当于50mm的声程范围内同时有5个或者5个以上的缺陷反射信号;或者在50mm×50mm的探测面上发现同一深度范围内有5个或5个以上的缺陷反射信号.
 
1.4 缺陷当量直径
 
用AVG方法求出的假定与超声波束相垂直的平底孔的直径,称为缺陷当量直径,或简称为当量直径.
 
1.5 AVG曲线
 
以纵座标轴表示相对的反射回波高度,以横座标轴表示声程,对不同直径且假定与超声波束相垂直的圆平面缺陷所画出的曲线图叫AVG曲线,亦称为DGS曲线.
 
探伤人员
 
锻件探伤应由具有一定基础知识和锻件探伤经验,并经考核取得国家认可的资格证书者担任.
 
3探伤器材
 
3.1 探伤仪
 
3.1.1 应采用A型脉冲反射式超声波探伤仪,其频响范围至少应在1MHz~5Mhz内.
 
3.1.2 仪器应至少在满刻度的75%范围内呈线性显示(误差在5%以内),垂直线性误差应不大于5%.
 
3.1.3 仪器和探头的组合灵敏度:在达到所探工件最大程处的探伤灵敏度时,有效灵敏度余量至少为10dB.
 
3.1.4 衰减器的精度和范围,仪器的水平线性、动态范围等均应队伍ZBY230-84《A型脉冲反射式超声波探伤仪通用技术条件》中的有关规定.
 
3.2 探头
 
3.2.1 探头的公称频率主要为2.5Mhz,频率误差为±10%.
 
3.2.2 主要采用晶片尺寸为Φ20mm的硬保护膜直探头.
 
3.2.3 必要时也可采用2MHzs或25MHz,以及晶片尺寸不大于Φ28mm探头.
 
3.2.4 探头主声束应无双峰,无偏斜.
 
3.3 耦合剂
 
可采用机油、甘油等透声性能好,且不损害工件的液体.
 
4探伤时机及准备工作
 
4.1 探伤时机
 
探伤原则上应安排在最终热处理后,在槽、孔、台级等加工前,比较简单的几何形状下进行.热处理后锻件形状若不适于超声波探伤也可在热处理前进行.但在热处理后,仍应对锻件尽可能完全进行探伤.
 
4.2 准备工作
 
4.2.1 探伤面的光洁度不应低一地5,且表面平整均匀,并与反射面平等,圆柱形锻件其端面应与轴线相垂直,以便于轴向探伤.方形锻件的面应加工平整,相邻的端面应垂直.
 
4.2.2 探伤表面应无划伤以及油垢和油潜心物等附着物.
 
4.2.3 锻件的几何形状及表面检查均合格后,方可进行探伤.
 
4.3 重要区
 
锻件的重要区应在设计图样中或按JB 755-85《压力容器锻件技术条件》予以注明.
 
5探伤方法
 
锻件一般应进行纵波探伤,对简形锻件还应进行横波探伤,但扫查部位和验收标准应由供需双方商定.
 
5.1 横波探伤
 
横波探伤应按附录B的要求进行.
 
5.2 纵波探伤
 
5.2.1 扫查方法
 
5.2.1.1 锻件原则上应从两相互垂直的方向进行探伤,尽可能地探测到锻件的全体积,主要探测方向如图2所示,其他形状的锻件也可参照执行.
 
5.2.1.2 扫查范围:应对锻件整个表面进行连续全面扫查.
 
5.2.1.3 扫查速度:探头移动速度不超过150mm/s.
 
5.2.1.4 扫查复盖应为探头直径的15%以上.
 
5.2.1.5 当锻件探测厚度大于400mm时,应从相对两端面探伤.
 
5.2.2 探伤灵敏度的校验
 
5.2.2.1 原则上利用大平底采用计算法确定探伤灵敏度,对由于几何形状所限,以及缺陷在近场区内的工件,可采用试块法(见附录A).
 
5.2.2.2 用底波法校正灵敏度,校正点的位置应选以工件上无缺陷的完好区域.
 
5.2.2.3 曲面补偿:对于探测面是曲面而又无法采用底波法的工件,应采用曲率与工件相同或相近(0.7-1.1倍)的参考试块(见附录A);或者采用小直径晶片的探头,使其近场区的长度小于等于1/4工件半径,这样可不需进行曲面补偿.
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