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1.不稳定的同位素在衰变期间，始终要辐射出γ射线。(X)
2.一放射性同位素放出的γ射线穿透力等同于多少千伏或兆伏Χ射线机的穿透力，这种关系称作该同位素的当量能。(0)
3.放射性同位素的当量能上限总是高于其平均能。（0）
4.射线通过材料后，其强度的9/10被吸收，电火花检漏仪 http://www.dianhuohuajianlouyi.com 该厚度即称作1/10价层。（0）
5.60Co和192Ir射线源是稳定的同位素在核反应堆中俘获中子而得到的，当射线源经过几个半衰期后，将其放在核反应堆中激活，可重复使用。（X）
6.俄歇电子是指被荧光Χ射线逐出原子轨道的电子。（0）
7.光电子又称为反冲电子。（X）
8.一能量为300千电子伏的光子进入原子中,使一轨道电子脱离50千电子伏的结合能后,又给这个电子50千电子伏的能量使其飞出轨道,则新的光子能量是200千电子伏(0)
9.由焦点尺寸和照像几何条件决定的像质计金属丝几何因素修正系数σ在d'/d的比值大于1时，其数值随d'/d的增大而减小（0）
10.对于2MeV的电子直线加速器，靶材料为钨，比例系数为1.2x10-6时，其连续X射线的转换效率约为1.8%(X)
11.不同种类的放射性同位素，其中活度（居里数）高的辐射出的γ射线剂量不一定比活度低的大（0）
12.高速运动的电子在与靶金属的原子核外电场作用时，发射出连续X射线（0）
13.连续X射线的总强度与管电压的平方成正比，与管电流和靶原子序数成正比（0）
14.“吸收剂量当量”-拉德（Rad）等于被照射生物机体的吸收剂量-雷姆（Rem）与该射线相应的修正系数（RBE）的乘积（对X和γ射线来说修正系数等于1）(X)
15.直线加速器的输出强度要比同样能量的电子感应加速器的输出强度要大许多倍。（0）
16.192Ir射线源产生的射线主要成分是能量几乎呈连续分布的“白色Χ射线”。（0）
17.在显影过程中，KBr中的Br离子被吸附在AgBr表面形成负电层，因而能排斥显影剂负离子对未曝光的AgBr的还原作用，防止灰雾生成。（0）
18.对电子加速器产生的Χ射线束，不宜用铅作过滤材料，原因是铅在高能量射线照射下会被激活。（X）
19.在射线剂量笔中,两个石英纤维丝带有正电荷,当射线通过时就失去它们的电荷,并且其中一个石英纤维丝向另一个靠拢(0)
20.闪烁计数器型的辐射仪，是由铊活化的碘化钠单晶、光电倍增管和电子电路构成（0）
21.在MeV级高能射线照相中，能量越高，则照射场尺寸越大。（X）
22.就设备性能而言，在高能射线照相中照射场尺寸显得十分重要，而焦点尺寸显得较不重要。（0）
23.密封铅罐中的水位可用中子照相法测定。（0）
24.在某一黑度条件下的胶片，其曝光量倒数的104，定义为胶片的感光速度（0）
25.含氢元素的物质对中子射线有较强的衰减作用(0)
26.康普顿效应中，散射光子的波长大于入射光子的波长(0)
28.75Se（硒75）的半衰期是118天(0)
29.169Yb（镱169）的半衰期是31天(0)
30.170Tm（铥170）的半衰期是129天(0)
31.153Gd（钆153）的半衰期是242天(0)
32.铯137的半衰期是33年(0)
33.一能量为300KeV的光子与原子相互作用,使一轨道电子脱离轨道,且具有50KeV动能飞出,则新光子的能量是250KeV(X)
34.含氢元素的物质对中子射线具有较强的衰减作用。（0）
35.X射线机采用高频电路的优点能将几乎所有的电源瞬变和干扰消除，KV，mA读数精度较高。（0）
36.实验表明，胶片颗粒性对平板孔型像质计中小孔影象显示的影响，要比对线型像质计中金属丝影像的显示影响小得多（X）
37.安装阳极靶时，通常要倾斜一定角度，使该实际焦点小，而有效焦点大（X）
38.在实际使用的焦距范围（100～1000mm）内，焦距的变化对散射比的数值几乎没有影响。（0）
39.只要底片达到特定的黑度值(如最佳黑度值)，而不管μp/1+n如何，底片上可识别的象质计金属丝直径必然最小。(X)
40.采用荧光增感时，由于“互易定律失效”，不能根据曝光因子公式修正透照参数。（0）
41.滤板厚度改变时所绘制的Χ射线胶片特性曲线形状和位置均会改变。（X）
42.用2，5，8，18和31MeV这些高能Χ射线透照大厚度工件时，可以达到的探伤灵敏度几乎相同。（0）
43.荧光增感屏或金属荧光增感屏，由于荧光亮度产生的感光作用与接受的射线照相量率的大小是不成正比的，因此照射量率低的时候，曝光时间比通常计算所得的要高，这种现象称之谓“反比定律失效”（0）
44.高能Χ射线发生器能产生能量值很高的射线,因此能检测大厚度的工件,但它的缺点是焦点较大,能量转换效率较低(X)
45.常见的金属增感屏按金属箔材料的不同分为如下几类：铅屏；钢屏；铜屏；钽屏；钨屏(0)
46.金属增感屏的金属箔是由铅、钢、铜、钽或钨等金属分别轧制而成的(0)
47.晶粒较粗大的材料，在一定的射线透照条件下，无损检测资源网射线底片上可能产生衍射斑纹(0)
48.当设计低压X射线管时，为了考虑到滤波、效率、散热等因素，X射线管的窗口一般采用铜合金制成（X）
49.采用中子照相法时，其曝光需要先经过转换屏转换，然后再使用X射线胶片曝光(0)
50.采用中子照相法时，其曝光方法是利用荧光增感屏+X射线胶片曝光（X）
51.胶片的增感因子在40-400KV之间的变化情况是随着电压增大，增感因子增大（X）
52.胶片的增感因子在40-400KV之间的变化情况是随着电压增大，增感因子变小（X）
53.如果荧光增感屏的种类一定，则感光速度主要取决于荧光物质的颗粒度，颗粒越大，感光速度越慢（X）
54.荧光增感屏因为经常受到强光照射或紫外线照射导致颜色改变和丧失一些光泽时，可以用弱射线照射使其恢复原有的状态（X）
55.在制作胶片特性曲线时，如果增加显影时间，会使胶片特性曲线变得更陡，并且向左移动(0)
56.在制作胶片特性曲线时，如果增加显影时间，会使胶片特性曲线变得更陡，并且向右移动（X）
57.由于X射线在粗晶材料中可能发生衍射效应，因此散射的特殊表现形式是底片的衬度差(X)
58.由于X射线在粗晶材料中可能发生衍射效应，因此散射的特殊表现形式是底片上出现斑点(0)
59.对大晶粒金属零件进行射线照相时，为了减轻衍射斑点的影响，可以提高管电压并使用荧光增感屏(X)
60.对大晶粒金属零件进行射线照相时，为了减轻衍射斑点的影响，可以降低管电压并使用铅箔增感屏(X)
61.对大晶粒金属零件进行射线照相时，为了减轻衍射斑点的影响，可以提高管电压并使用铅箔增感屏(0)
62.对大晶粒金属零件进行射线照相时，为了减轻衍射斑点的影响，可以降低管电压并使用荧光增感屏(X)
63.当单色射线能量约9MeV时，对钢的穿透力最大，此时相应的Χ射线输出约为20MeV（0）
64.60Co放出的γ射线平均能为1.25MeV，相当于2000～3000KVp X射线穿透力（0）
65.192Ir放出的γ射线平均能为0.35MeV，相当于150～800kVp X射线穿透力（0）
66.60Co和192Ir的射线输出分别为1.3R/m•h•ci和0.5R/m•h•ci（0）
67.60Co和192Irγ射线的能谱线分别为2根和至少24根（0）
68.可用于2～10mm薄壁管透照的一种γ射线新源是169Yb，其半衰期为31天，射线输出为125mR/h•ci（0）
69.检查轻合金的薄试件也可利用β放射同位素所产生的韧致辐射，常用的源如90Sr和169Yb等（0）
70.中子射线有以下特点：在重元素中衰减小、在轻元素中衰减大、在空气中电离能力弱、不能直接使胶片感光（0）
71.常用的中子源有同位素中子源、加速器中子源和原子反应堆（0）
72.不同剂量的照射对人体的损伤：D≤（0.25Gy）的一次照射时，无明显病理变化；D≈（0.5Gy）时，出现一时性血象变化；D≥（1Gy）时，会引起急性放射病（0）
73.发生光电效应几率的实验近似公式为：τ=kρz4λ3，其中K为常数；ρ为（物质密度）；Z为物质的原子序数；λ为射线的波长（0）
74.波长为0.1 的光子,其能量E=124000 eV=2×10-7尔格（0）
75.管电压250kV时,产生射线的最短波长为0.0496 （0）
76.X射线穿透钢材料时,两种主要效应的发生几率与光子能量的关系：无损检测资源网J=σc时,E≈(100)keV；σc=max时,E=(1000)keV（0）
77.连续Χ射线总强度可用下式表示：I=（ηoiZV2）（0）
78.连续Χ射线的转换效率公式为η=（ηoZV）（0）
79.单色窄束射线的半价层厚度约为1/10价层厚度的0.3倍；若已知线衰减系数μ，则1/10价层厚度为2.3/μ（0）
80.钴60γ射线源发出的两种γ射线能量分别为1.17和1.33MeV，因此它们的波长分别为0.0106 和0.00932 （0）
81.活度为1居里的铱192，距离它1米处在无遮挡、无吸收的条件下，其一次射线的照射量率为0.55伦琴/小时（0）
82.衰变常数为0.021/年的γ射线源，其半衰期为33年，此射线源为铯源（0）
83.直线加速器的优点是体积小和输出射线强度大，回旋加速器的优点是焦点尺寸小
84.产生给定胶片密度所需要的伦琴数随射线能量的增加而增加；射线能量高到一定数值，上述伦琴数基本不变，这就是所谓射线胶片的光谱灵敏度（0）
85.用盐屏摄得的底片不清晰与两个因素有关，一是结构斑点，二是量子斑点（0）
86.底片颗粒度的表示为：G=σd/α,式中符号意义：σd-密度均方差；α-扫描点面积（0）
87.Χ射线能量低于150kV时，由于吸收系数变化很快，管电压的选择比较严格；能量在200～400kV时，电压变化约为30～40kV才使灵敏度有明显变化；当为2～31MeVΧ射线时，探伤灵敏度几乎相同（0）
88.对电子加速器产生的Χ射线束，不宜用铅或重过滤材料，因在2～3MeV时，其质量衰减系数有一最低值（0）
89.目前常用的中子源有以下三种：①同位素中子源；②加速器中子源；③反应堆中子源（0）
90.192Ir中有77个质子，115个中子，其半衰期为75天，则其衰变常数为0.00924/d（0）
91.放射性同位素的制取有在核反应堆中通过中子照射激活的，如192Ir和60Co，也有是核裂变的产物，如137Cs（0）
93.我国天津感光胶片厂生产的工业用II、III、V型胶片，其感光度大致相当于国外Agfa牌号的D10、D7、D4型胶片，或国外富士牌号的400、200、100或80型胶片（0）
94.若底片上阶梯孔型像质计灵敏度为2%，则实际圆形气孔的检出灵敏度约为3%；为检出1mm气孔，像质计上应显示的阶梯孔径为2/3mm（0）
95.金属增感屏的增感系数随着材料原子序数的增大而增大，在试验范围内金最大，在管电压较低时锡最大（0）
96.金属增感屏的增感系数随着Χ射线管电压的降低而减小，大约在120kV以下时，增感系数小于1（0）
97.在某一密度D时的胶片衬度用下式表示：G0=dD/dlgE；在两特定密度之间，胶片的平均衬度可表示为G=△D/△lgE（0）
98.为了提高射线照像的对比度，可以采取射线胶片与工件保持适当距离的特殊照像方法，此时1/[1+n]值随该距离的增大而增大，σ值该距离的增大而减小，因此必须取σ/[1+n]值的最大时的最佳距离（0）
99.在半波自整流电路里加装逆电压降低器的目的是降低X射线管的逆电压，在倍压整流电路里起倍压作用的元件是电容器（0）
100.由于Χ射线照射场内阳极侧和阴极侧焦点尺寸和射线强度分布不同，因此不能利用整个照射场来透照工件（0）
101.射线底片表观对比度与底片对比度的关系式为：△Da=（△D/(1+n')）（0）
102.体积状缺陷的可检出性主要取决于射线照相对比度，细小缺陷的可检出性还取决于胶片的清晰度（0）
103.裂纹类面状缺陷的可检出性不仅取决于射线照相影像质量的三参数，还取决于缺陷本身的深度L、宽度W和与射线束的角度θ（0）
104.给定γ射线源可透检厚度范围的上限取决于其能量和强度，下限取决于灵敏度下降值（0）
105.在Χ射线管窗口加滤板有增大厚度宽容度和消除边蚀散射两大作用（0）
106.大晶粒金属零件进行射线照相时，利用提高管电压和使用铅增感屏可以减少或消除衍射斑的影响（0）
107.从实际应用来说，可以认为X射线胶片特性曲线的形状与X射线或γ射线的线质无关（0）
108.X射线在大晶粒材料中衍射而引起的一种特殊形式的散射线会使底片上出现斑点状影像（0）
109.X射线管按不同的用途可分为五大类，第一类是医学诊断用X射线管，第二类是医学治疗用X射线管，第三类是材料分析用X射线管，第四类是材料检验用X射线管，第五类是特殊用途X射线管，无损检测应用的是第4类X射线管（0）
110.有的X射线管的阴极头有两组灯丝，可产生两个大小不同的焦点，以适应不同的用途（0）
111.在其他工作条件保持恒定的情况下，管电流变化会使X射线管发射的辐射强度发生变化，强度近似地与管电流成比例，造成强度与管电流不能精确地成比例的主要因素是X射线机变压器的电压和波型随负荷变化（0）
112.金属陶瓷X射线管与玻璃壳X射线管相比有下面六个优点：抗震性强，不易破碎、金属壳不存在电击穿和表面放电问题、管内真空度高，各项电性能好、体积小，重量轻，寿命长、容易装焊铍或钼窗口以放射软X射线、制造工艺简单（0）
113.特殊用途的X光管包括周向辐射X射线管、软X射线管、微焦点X射线管、棒状阳极X射线管（0）
114.中子射线照像检测方法的英文缩写是NRT(0)
115.射线照相检验方法的局限性是不易评定缺陷的形状,大小和分布(X)
116.射线照相检验法的优点是效率高,成本低(X)
117.当射线中心束方向与裂纹开裂面成45°角时,最容易发现该裂纹(X)
118.X射线检测法不适用于混凝土结构件(X)
119.X或γ射线的计算机辅助层析扫描技术简称为工业CT(0)
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