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脉冲反射探伤法对探头晶片有什么要求?

来源: 作者:ndt 人气: 发布时间:2024-05-05
摘要:①转换效率要高,尽可能降低转换损失,以获得较高的灵敏度,宜选用Kt(机电耦合系数)大的晶片。 ②脉冲持续时间尽可能短,即在激励晶片后能迅速回复到静止状态,以获得较高的纵向分辩力和较小的盲区。 ③要有好的波形,以获得好的频谱包迹。 管道测厚仪 http
①转换效率要高,尽可能降低转换损失,以获得较高的灵敏度,宜选用Kt(机电耦合系数)大的晶片。
②脉冲持续时间尽可能短,即在激励晶片后能迅速回复到静止状态,以获得较高的纵向分辩力和较小的盲区。
③要有好的波形,以获得好的频谱包迹。管道测厚仪http://www.guandaocehouyi.com
④声阻抗适当,晶片与被检材料的声阻抗尽量接近,水浸法探伤时,晶片应尽量与水的声阻抗相近,以获得较高的灵敏度。
高温探伤时,居里点温度要高。
⑥制造大尺寸(直径)探头时,应选择介电常数小的晶片。
⑦探头实际中心频率与名义频率之间误差小,频谱包络无双峰。

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